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SK hynix entwickelt 1 Znm 16Gb DDR4 DRAM mit 16Gb

SK hynix hat heute die erfolgreich abgeschlossene Entwicklung von 1 Znm 16 GB DDR4-Arbeitssepicher bekanntgegeben. Da 16 Gb die branchenweit höchste Dichte für einen einzelnen Chip ist, stellt die Gesamtspeicherkapazität pro Wafer auch einen Meilenstein für das Unternehmen dar.

Die Produktivität gegenüber der vorherigen Generation, 1Y nm, konnte um etwa 27% verbessert werden. Zur Herstellung ist keine teure Extrem Ultraviolette (EUV)-Lithographie erforderlich, was SK hynix einen Wettbewerbsvorteil in Bezug auf die Kosten verschaffen dürfte. Der neue 1Z nm DRAM unterstützt eine Datenübertragungsrate von bis zu 3.200 Mbit/s.

Das Unternehmen konnte die Energieeffizienz steigern und reduzierte erfolgreich den Stromverbrauch um etwa 40%, im Vergleich zu DRAM-Modulen mit gleicher Dichte von 1Y nm und 8 Gb. Außerdem hat SK hynix ein neues Material verwendet, das im Herstellungsprozess der vorherigen Generation noch nicht zum Einsatz kam. Bei dem neuen Produkt konnte erst durch die Kapazität signifikant erhöht bzw. maximiert wurde. Die Kapazität, die Menge an elektrischer Ladung, die ein Kondensator speichern kann, ist ein Schlüsselelement des DRAM-Betriebs. Ein neues Design wurde ebenfalls eingeführt, um die Betriebsstabilität zu erhöhen.

SK Hynix DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 (HMA82GU6CJR8N-VK)

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SK hynix plant, den Prozess der 1 Znm-Technologie auf eine Vielzahl von Anwendungen auszudehnen. Darunter LPDDR5 für die nächste Generation von mobilem DRAM sowie auch HBM3. Doch mit der Produktion ist HK hynix nicht das erste Unternehmen, das den 1Z nm Markt betritt. Vor zwei Monaten hat bereits Micron die Produktion entsprechender Wafer gestartet. Wie gut die neuen Chips sind, werden unabhängig Tests zeigen müssen, wenn es in einigen Jahren die passen Endverbraucherprodukte gibt.

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