Arbeitsspeicher News System

China startet Produktion von heimischen DRAM-Chips

Chinas Halbleiterindustrie strebt in jedem Sektor der internationalen Industrie eine Unabhängigkeit an und legt den derzeitigen Schwerpunkt auf hausgemachten Produkte für den häuslichen Gebrauch. Insbesondere staatlichen Einrichtungen setzen auf Produkte „Made in China“ und entgehen so möglichen Sicherheitslücken, die zur Wirtschaftsspionage aus dem Ausland führen können. Laut dem Bericht des China Securities Journal hat nun eine chinesische Firma mit der großangelegten Produktion von DRAM-Speicher begonnen.

Ein Unternehmen namens ChangXin Memory Technology, das 2016 gegründet wurde, um die heimische Siliziumproduktion zu steigern, startete vor wenigen Tagen die Produktion von DRAM-Speicher, um Chinas Abhängigkeit von Unternehmen wie Micron, SK Hynix und Samsung zu reduzieren und langfristig zu beseitigen. Dieser DRAM-Chip, der auf das 18-nm-Fertigungsverfahren setzt, wird von ChangXin als “10-nm-Class”-Node bezeichnet und liegt nicht allzu weit hinter den Produkten der Konkurrenz zurück. Micron, Samsung und SK Hynix verwenden 12, 14 und 16 nm Nodes für die Herstellung ihrer DRAM-Chips, so dass man die bisherigen chinesischen Bemühungen als überaus erfolgreich ansehen kann. Das Unternehmen verspricht, rund 120.000 Wafer pro Monat zu produzieren und plant bis Ende dieses Jahres erste Chips zu liefern.

Zur Quelle